Încărcați-vă telefonul timp de 5 ore în 5 minute de vara 2017

Qualcomm a anunțat lansarea Snapdragon 835, succesorul lui Snapdragon 821, care se mișcă la 2, 35 GHz. Odată cu aceasta, compania și-a anunțat viitoarea tehnologie Quick Charge 4, care va permite utilizatorilor să își încarce dispozitivele pentru 5 ore de utilizare în decurs de 5 minute.

Compania se concentrează pe îmbunătățirea duratei de viață a bateriei și a tehnologiei de încărcare, deoarece o mulțime de cumpărători caută mai bune opțiuni de baterie și încărcare rapidă în aceste zile în timp ce cumpără un telefon.

Încărcați-vă telefonul timp de 5 ore în 5 minute

De asemenea, multinaționala din SUA și-a prezentat tehnologia Quick Charge 4 împreună cu noul procesor, despre care compania susține că va oferi dispozitivului dvs. 5 ore de baterie în 5 minute de încărcare.

Noua tehnologie de încărcare va funcționa cu 20% mai repede, cu o eficiență crescută cu 30% decât încărcare rapidă 3. Acest lucru nu înseamnă că dispozitivul dvs. se va încălzi prea repede, deoarece noua tehnologie va funcționa la temperaturi mai reci de 5 ° C.

Quick Charge 4 vă va ajuta dispozitivul să încarce 50% baterie în 15 minute sau mai puțin.

Acesta este în mod clar un procent mai mic în comparație cu tehnologia OnePlus 'Dash de încărcare, care este pe piață de mai multe luni acum.

Mai jos sunt câteva dintre caracteristicile pe care Quick Charge 4 le obține peste predecesorii săi.

• USB Type-C și USB Power Delivery: În încercarea de a oferi maselor facilități de încărcare rapidă, Qualcomm a standardizat adaptoarele Quick Charge 4, astfel încât să poată suporta mai multe dispozitive.
• Economisirea bateriei: implementată pentru a prelungi durata de viață a bateriei și pentru a proteja bateria, sistemul, cablul și conectorul măsurând tensiunea curentului și temperatura.
• Negociere inteligentă pentru tensiune optimă (INOV): Acesta este un algoritm care ajută sistemul să determine transferul optim de putere în timp ce maximizează eficiența. Acest lucru ajută la protejarea telefonului de supraîncălzire din cauza supraîncărcărilor în timpul sarcinii
• Încărcare dublă: această tehnologie permite încărcarea rapidă prin disiparea termică eficientă.

Snapdragon a ajuns să devină și mai plăcut cu chipsetul 835

Compania a făcut echipă împreună cu Samsung pentru a dezvolta următorul său pilot SoC. Snapdragon 835 va fi construit pe nodul FinFET Samsung de 10 nm, care consumă o putere de 40% mai mică, deci, oferind procesorului o îmbunătățire a performanței generale de 27% în comparație cu predecesorii săi.

Nodul FinNET de 10 nm va permite, de asemenea, o eficiență a suprafeței de 30% datorită dimensiunii sale mai mici în comparație cu nodul folosit anterior de 14 nm.

Dimensiunile mai mici nu împiedică performanța, ci creează mai mult spațiu pentru producătorii de chipset-uri pentru a adăuga funcții suplimentare sau pentru a face dispozitivul mai slab.

Qualcomm’s Snapdragon 835 și Quick Charge 4 trebuie să fie disponibile până la sfârșitul celui de-al doilea trimestru din 2017.